電阻帶的整個氧化過程根據(jù)其氧化速率可分為以下三個階段:

一階段是:氧化膜生成階段。在早期，合金被迅速氧化。氧化速率高后，氧化速率逐漸變慢。當表面形成連續(xù)的氧化膜時，氧化速度再次變慢，氧化進入二階段。

在這個階段，氧化速率與時間的關(guān)系是一個離散系統(tǒng)，氧化膜是層狀結(jié)構(gòu)。

在氧化膜形成的初期，合金中的銫、硅、鉻等易被氧化的元素迅速與氧融合，生成相應的氧化物，附著在合金表面，產(chǎn)生連續(xù)的氧化膜。同時，合金中的鋁、硅、鉻等元素擴散到表面，聚集在新的氧化膜下。

其次，二階段是:氧化膜穩(wěn)定階段。當在合金表面形成連續(xù)的氧化膜時，氧滲入合金的速度再次降低。此時仍有少量氧能根據(jù)氧化膜與聚集在氧化膜下的合金元素發(fā)生反應，產(chǎn)生內(nèi)氧化層。

在這個階段，合金以非常慢的速度氧化。經(jīng)過長時間的高溫作用，氧化膜的相對密度增加，厚度增加，合金的氧化與時間成線性關(guān)系。

氧化穩(wěn)定階段越長，合金的使用壽命越長。

第三階段是氧化膜破壞階段。當合金內(nèi)氧化的發(fā)展趨勢達到程度時，氧化膜中逐漸出現(xiàn)裂紋，使大量氧氣進入合金，鐵、鋁、硅、鉻等宏量元素被氧化，氧化速度大大提高。同時，氧化膜中逐漸出現(xiàn)裂紋，導致破壞。